| 型号：IRF630FP | 类别：FET - 单 | 制造商：STMicroelectronics |
| 封装：TO-220-3 整包 | 描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP |
| 系列 | MESH OVERLAY™ |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 9A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 400 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 45nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 700pF @ 25V |
| 功率_最大 | 30W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装 | TO-220FP |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
| 柒号芯城电子商务（深圳）有限公司 | 连18922803401 |
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
| 深圳市三得电子有限公司 | 销售部13509684848 |
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